高纯度碳化硅粉料合成技术

将固态的高纯的 Si源 和高纯的 C源 作为原料，使其在 1400～2000℃ 的高温下持续反应，最后得到高纯SiC粉体。合成过程中涉及的原辅料，纯度均在 6.5N以上，关键杂质元素 B、Al、V、Ti、Fe、W 和 Mo 等均小于 0.05ppm。

“半粘半夹持”式籽晶固定与超声喷涂籽晶粘结技术

创新性提出“半粘半夹持技术”，简化籽晶粘结工作的同时，减少晶体应力。提高高温下的胶水的残炭率，采用 超声波雾化喷涂技术，将行业传统的手动粘结替代为设备喷涂粘结，一次粘结合格率从 45% 提高到 75% 以上。

将籽晶与石墨纸粘结固定，实现夹持石墨纸而不夹持籽晶的技术。粘纸结构减少石墨托方案的后期应力，且能有效避免夹持籽晶的缺陷及利用率低的问题，可生产较厚的高质量晶体。

“自牺牲”式多孔石墨与“超耐腐蚀”涂层石墨技术

提出粉料区“自牺牲”式多孔石墨组件来稳定长晶初期“硅逃逸”、长晶区 涂层石墨件 来抵抗“硅腐蚀”、“梯度式”装料稳定长晶过程中“碳硅比”技术，实现 6-8英寸 晶体快速生长，生长速度 提高40%以上，晶片碳包裹合格率由 80% 提高到 95% 以上。

石墨发热筒上端辐射加热技术

石墨“筒状辐射发热” 替代坩埚上方软、硬毡的保温热场，减少热场上端的腐蚀，同时避免炉次与炉次之间的温度波动，提高热场寿命与热场稳定性。热场平均寿命可 提高80%以上。

“石墨翅片”换热技术

提出“石墨翅片”组件的温度调节装置，相对于石墨环表面积 提高277%，换热效应 提高127%。以此替代石墨毡调整温度梯度，避免石墨毡在高温下收缩、硅腐蚀等行业难题，实现“相似型馒头面”的生长方式，提高晶体质量与稳定性。

高效率、高良率、低成本的切片加工技术

我司业内首推 0.105mm 螺旋线 进行SiC砂浆切割。我司加工时间已缩短至 80小时，切割效率 提高38%。通过对线切单位面积切割力计算和测试，我司0.105mm螺旋线用线量已经降低至 1.2km/pcs，损耗 减少60%以上。我司单刀装载量为 300pcs/刀，装载量 提升50%，且良率在 99.5% 以上。

通过对碳化硅线切的深入研究，开发了高效率、低成本的线切加工方式。